日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产
日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产；
日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品，2025年实现量产
日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品，2025年实现量产
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