8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展 ; 日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。（证券时报）|世界时讯

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汇通财经APP讯——8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展;

日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。（证券时报）

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